【PConline 雜談】目前，大多數(shù)消費者在選購手機時候，除品牌效應(yīng)以外，最注重的參數(shù)就是手機硬件配置，而硬件配置中，手機內(nèi)存大小成為了衡量手機是否為好手機的標準之一了。但現(xiàn)在隨著手機硬件技術(shù)的不斷發(fā)展，從2GB、3GB這些常規(guī)數(shù)字來判定內(nèi)存性能已經(jīng)不適用了。筆者接下來要告訴大家的，就是內(nèi)存除大小之外的其他隱藏屬性。

更快的運行內(nèi)存(RAM)

　　我們常說的內(nèi)存是與電腦內(nèi)存是相同的一個概念，也就是運行內(nèi)存，在去年下半年的旗艦手機中3GB的運行內(nèi)存(RAM)我們已經(jīng)屢見不鮮了，而那個時候的運行內(nèi)存是LPDDR3內(nèi)存，雖然在今年MWC中，三星Galaxy S6采用的還是3GB RAM，但它是LP DDR4內(nèi)存，這與去年主流的LPDDR3不太一樣。

　　顧名思義，LPDDR4是LPDDR3的升級版。作為升級版，LPDDR4同時可提供32Gbps的帶寬(為LPDDR3的2倍)。而結(jié)果就是，使用LPDDR4的手機應(yīng)用啟動速度更快、響應(yīng)效率更高。由于帶寬更大，在線程一定的情況下，處理器處理能力就更高效了。

　　而在電壓方面，由于DDR4內(nèi)存的工作電壓降低至1.1V，其耗電量也會隨之降低40%(數(shù)據(jù)為官方數(shù)據(jù))。功耗的降低對于手機小小的體積而言，效果是顯著的，據(jù)最新消息稱，三星、海力士已經(jīng)宣布量產(chǎn)DDR4內(nèi)存，而能夠支持LP DDR4內(nèi)存的處理器自然是屬于高端處理器，在今年上半年我們可能會看到更多搭載LPDDR4內(nèi)存的旗艦手機。雖說在內(nèi)存方面，大小的數(shù)字可能是一樣的。但由于制作工藝以及技術(shù)的不同，每一代產(chǎn)品依然是有區(qū)別的，并不適合像之前那樣光憑大小來進行判斷。

UFS2.0快速存儲

　　與運行內(nèi)存相似的就是存儲內(nèi)存(ROM)，其實就是電腦中的硬盤大小。目前電腦硬盤都已經(jīng)開始使用更大容量的機械硬盤以及更快的SSD了，而作為比電腦發(fā)展更加迅猛的手機，其存儲器又有哪些變化呢？

　　隨著智能手機對用戶依賴性以及現(xiàn)在手機應(yīng)用越來越大，大容量存儲已經(jīng)慢慢成為主流。蘋果選擇性忽略掉32GB版本的iPhone 6除為了能讓更多的人們選擇64GB的存儲空間外，也是說明小存儲空間是越來越少人購買了。目前市場上很多手機都選擇以32GB作為最低標準，而這32GB存儲空間有何差別呢？

　　說到這里，就不得不說三星GALAXY S6上搭載的UFS嵌入式存儲技術(shù)。UFS英文全稱為(Unified File System)，UFS是UNIX文件系統(tǒng)的簡稱，它來源于4.3Tahoe發(fā)行版中提供的BSD Fat Fast File System（FFS）系統(tǒng)，屬于FFS的演化版本。其采用“命令隊列（Command Queue）”技術(shù)，這種技術(shù)主要運用于電腦SSD硬盤中，因此，UFS嵌入式存儲在存儲與讀取速度上優(yōu)于之前的存儲技術(shù)太多。

　　據(jù)資料顯示，三星所使用的UFS嵌入式內(nèi)存的隨機讀取速度能達到19000 IOPS，是eMMC 5.0嵌入式存儲的2.7倍，這種處理速度將大大提升系統(tǒng)性能。由于其技術(shù)與SSD技術(shù)很相似，因此其連續(xù)讀寫性能也提升到了SSD水平，最主要的是其功耗比上代的存儲產(chǎn)品降低了50%。并且隨機寫入速率達到了一般外置存儲卡的28倍。因此，相同的存儲容量也有著不同的存儲速度，選擇最新技術(shù)得到的快感還是杠杠的。

總結(jié)

　　 當現(xiàn)在手機處理器市場已經(jīng)被高通以及聯(lián)發(fā)科瓜分后，處理器方面的發(fā)展逐步穩(wěn)定了，但內(nèi)存和存儲技術(shù)卻仍然在不停發(fā)展。因此，我們現(xiàn)在并不能只根據(jù)容量大小來簡單判定性能。LPDDR4內(nèi)存以及UFS嵌入式存儲都將為手機帶來更高的效率和更低的功耗，這些都能夠給消費者帶來更好的系統(tǒng)體驗。