Intel去年最重大的科技成果不是推出14nm工藝的Skylake處理器，而是3D XPoint存儲芯片，性能是當(dāng)前水平的1000倍，但它可不是NAND非易失性閃存這么簡單，實際上能帶來一次電腦革命，因為它還可以作為DIMM插槽的內(nèi)存使用。Intel準(zhǔn)備在2016年開始推出基于3D XPoint技術(shù)的存儲產(chǎn)品，現(xiàn)在曝光的就是容量高達(dá)6TB的DIMM插槽產(chǎn)品，很快電腦內(nèi)存就能跑步進入TB時代了。

　　DRAM內(nèi)存速度快，性能強，但容量小，而且斷電會失去數(shù)據(jù)，而NAND閃存容量大，成本低，性能比DRAM內(nèi)存差，但它是非易失性的，斷電后數(shù)據(jù)還在，研發(fā)人員一直在尋找結(jié)合兩種存儲芯片優(yōu)點的產(chǎn)品來取代內(nèi)存。Intel的3D XPoint閃存就具備了這樣的潛力，某種程度上它已經(jīng)模糊了內(nèi)存與閃存之間的界限，前途無限。

　　實際上Intel也一直在準(zhǔn)備這樣的產(chǎn)品，2016年就會推出基于3D XPoint閃存的Optane硬盤及DIMM插槽格式的產(chǎn)品。在日前的Storage Visions 2016會議上，TweakTown網(wǎng)站有機會見到Intel開發(fā)的DIMM DDR4插槽的3D XPoint原型產(chǎn)品，如首圖所示。

　　Intel會推出很多基于3D XPoint技術(shù)的存儲產(chǎn)品，最高端的就是用于系統(tǒng)內(nèi)存的產(chǎn)品，Intel表示在一套雙路CPU系統(tǒng)平臺上，3D XPoint技術(shù)的內(nèi)存容量可達(dá)6TB。